IT之家 1 月 5 日消息，TrendForce 集邦咨询在今日的最新一期报告中预测，2026 年一季度一般型 DRAM（IT之家注：即非 HBM 内存）的合约价格将环比上涨 55~60%、NAND 闪存产品的合约价则会上涨 33~38%。

2026年服务器DRAM（动态随机存取存储器）价格将迎来显著上涨，相关机构预测涨幅有望达到144%。这一价格变动并非短期市场波动，而是数字时代存储领域“军备竞赛”下的必然趋势，其核心驱动逻辑可归结为三大维度。

1月5日消息，据《韩国经济日报》报道，存储芯片大厂三星电子和SK海力士计划将供应给微软、谷歌、AWS等云服务大厂服务器DRAM的合约价大幅上调，相比去年四季度的合约价将上涨60%至70%。这也意味着三星和SK海力士今年的营业利润将达到150万亿韩元， ...

1月5日，三星电子股价大涨近7.5%创历史新高，SK海力士同步走强涨近3%，两大存储巨头的强势表现直接提振了市场情绪，推动韩国首尔综指收涨3.43％，创收盘历史新高。

智通财经APP获悉，韩国媒体称，受人工智能(AI)需求激增影响全球供应的影响，三星电子和 SK 海力士计划在第一季度将服务器内存价格上调至多 70%。这两家韩国公司均位列全球最大的存储芯片制造厂商。2025 年 11 月曾有报道称，三星、SK ...

在接受《EETimes》采访时，TechInsights公司DRAM与存储器市场总监Mike Howard表示，处理器与存储器之间的性能差距将推动高带宽存储器 (HBM)和CXL协议的应用，以突破“存储墙”。

长鑫科技集团股份有限公司正式向上交所提交科创板上市申请，并获得受理。这一动作标志着这家成立近十年、承载国家存储芯片自主化使命的企业，正加速迈向资本市场，有望在2026年上半年成为A股首家纯正的DRAM上市公司。

TrendForce 数据显示，英伟达与 AMD AI 芯片的 HBM 技术路线呈现同步迭代、分层竞争特征。2022-2025 年周期内，双方 HBM 规格从 HBM2e/HBM3（8hi）升级至 HBM3e（8hi/12hi），单芯片 HBM 容量从 80-128GB 提升至 288GB+。

据TrendForce统计，2023年第四季度，全球DRAM产业总营收达174.6亿美元，季增29.6%。排名前六的厂商在2023年第四季度营收环比增长都为正数，且增幅普遍较大，特别是力积电（PSMC），增幅最高，达到110%。

存储行业兴起于上实际60年代，是半导体行业重要的细分领域，约占整个半导体行业的25%。DRAM和NAND闪存为存储芯片行业中占比最高的两个分支，销售总额占据了整个存储芯片行业90%以上的市场份额。

据媒体报道，三星和SK海力士寻求将服务器DRAM价格最高上涨70%。 市场追踪机构称，过去一年中，传统DDR4 DRAM的基准价格飙升了近700%——这是自 2016 年开始追踪价格以来的最高水平；同时，NAND 闪存的价格也大幅上涨，同期涨幅超过100%。有分析师指出，得益于内存芯片价格的历史性飙升以及用于人工智能的高带宽内存(HDM)的复苏，三星电子即将创下有史以来最强劲的季度营业利润。 点评 ...

在芯片市场，大家是习惯了内存价格的周期波，涨涨跌跌本身就是需求和供给匹配的结果。但进入 2025 年下半年之后，这一轮 DRAM 和 NAND 的上涨，已经明显不同于传统的“涨—跌—再平衡”模式。